（1）LED的发光原理是电子与空穴经过复合直接发出光子，过程中不需要热量。LED可以称为冷光源。

　　（2）LED的发光需要电流驱动。输入LED的电能中，只有约15%有效复合转化为光，大部分（约85%）因无效复合而转化为热。

　　LED电致发光过程产生的热量和工作环境温度（Ta）的不同，引起LED芯片结温Tj的变化。LED是温度敏感器件，当温度变化时，LED的性能和封装结构都会受到影响，从而影响LED的可靠性。

　　k=ΔVf/ΔTj ：正向压降随结温变化的系数，通常取-2.0mV/℃.

　　*LED内部会形成自加热循环，如果不及时引导和消散LED的热量，LED的发光效率将不断降低。

　　*封装物质的膨胀或收缩产生的形变应力，使欧姆接触/固晶界面的位移增大，造成LED开路和突然失效。

　　*输入电能中大部分（约85%）转化为热量，一般计算中忽略转化为光的部分能量（约15%），假设所有的电能都转变成了热；

　　以Emitter（1mm×1mm芯片）为例，只考虑主导热通道的影响，从理论上计算PN结到热沉的热阻Rthjs。

　　④目前实际制造的LED成品热阻Rthjs比以上理论计算高出1倍左右，说明制造工艺水平还有很大的提升空间。

　　半导体材料的电导率具有热敏性，改变温度可以显著改变半导体中的载流子的数量。禁带宽度通常随温度的升高而降低，且在室温以上随温度的变化具有良好的线性关系。可以认为半导体器件的正向压降与结温是线性变化关系。

　　②用低电流（可以忽略其产生的热量对LED的影响）If’=1mA,快速点测LED的Vf1；

　　③将LED置于温度为Ta’(Ta’>

　　Ta)的恒温箱中足够时间至热平衡，Tj2=Ta’；

　　①将LED置于温度为Ta的恒温箱中，给LED输入电功率Pd，使其产生自加热；

　　②维持If恒定足够时间，至LED工作热平衡，此时Vf达至稳定，记录If、Vf；

　　Δλ=kΔTj，可以用类似的手段通过波长漂移法测量热阻，但难度较电压法稍大。

　　为确保LED工作的可靠性，在应用中LED的结温应尽可能低于额定结温Tjmax。

　　（2）为保证LED在使用中结温不超出Tjmax，在不同的环境温度（Ta）下，计算并确保输入电流不超出Ifmax：

　　（常见大功率LED的额定结温：120℃；Luxeon K2：185℃）

　　③为使LED可靠地工作，将LED正常工作时的结温Tjmax设定低于LED结温的额定值Tjmax；

　　⑦依Rthsa或Rthba作为目标值，查对LED供应商提供的对应Rthsa或Rthba的散热装置要求，以决定符合应用需求的二次散热机构的设计。

　　导热环节界面平整光滑，接触紧密可靠，必要时可加散热膏或粘合连接安装，以确保将LED的热量高效地引导到二次散热机构。
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